郝跃，中国科学院院士，西安电子科技大学教授，博士生导师。国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西省科学技术协会副主席，陕西省半导体行业协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国务院学位委员会第七届学科评议组“电子科学与技术”召集人，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。2013年11月当选中国科学院院士。

长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

承担国家“核高基”重大专项、973、863、国防预研、国防型谱、自然科学基金重点项目等多种类别科研项目累计近百项，科研成果获得国家发明奖二等奖1项、国家科技进步二等奖2项、三等奖1项；省部级科技成果一、二等奖10余项。2010年荣获“何梁何利”科学与技术进步奖。

在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；获国家发明专利授权70余项；出版了《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》、《碳化硅宽带隙半导体技术》、《微纳米CMOS器件可靠性与失效机理》等多部著作；教学育人方面，培养博、硕士研究生150余名，获2015年陕西省教学成果特等奖。